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GT60N321(Q)
- Número de pieza:
- GT60N321(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17375 Pieces
- Ficha de datos:
- GT60N321(Q).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GT60N321(Q), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GT60N321(Q) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 1000V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.8V @ 15V, 60A |
| Condición de prueba: | - |
| Td (encendido / apagado) @ 25 ° C: | 330ns/700ns |
| Cambio de Energía: | - |
| Paquete del dispositivo: | TO-3P(LH) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 2.5µs |
| Potencia - Max: | 170W |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-3PL |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | GT60N321(Q) |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descripción ampliada: | IGBT 1000V 60A 170W Through Hole TO-3P(LH) |
| Descripción: | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Corriente - Colector Pulsada (ICM): | 120A |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 60A |
| Email: | [email protected] |
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