Comprar GP2M004A060FG con BYCHPS
Compre con garantía
GP2M004A060FG
- Número de pieza:
- GP2M004A060FG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descripción:
- MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16185 Pieces
- Ficha de datos:
- GP2M004A060FG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GP2M004A060FG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GP2M004A060FG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220F |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 30.4W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | GP2M004A060FG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 545pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 600V 4A (Tc) 30.4W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 600V 4A TO220F |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de GP2M004A060FG
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
GP2M004A060CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A DPAK | Investigación |
 |
GP2M004A065FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A TO220F | Investigación |
 |
GP2M004A065HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A TO220 | Investigación |
 |
GP2M004A060PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A IPAK | Investigación |
|
GP2M004A060HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 | Investigación |
|
GP2M004A065CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A DPAK | Investigación |
|
GP2M004A065PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 650V 4A IPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog