GP1M009A020CG
GP1M009A020CG
Número de pieza:
GP1M009A020CG
Fabricante:
Global Power Technologies Group
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12752 Pieces
Ficha de datos:
GP1M009A020CG.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):52W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GP1M009A020CG
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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