Comprar GP1M005A040PG con BYCHPS
Compre con garantía
GP1M005A040PG
- Número de pieza:
- GP1M005A040PG
- Fabricante:
- Global Power Technologies Group
- Descripción:
- MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18011 Pieces
- Ficha de datos:
- GP1M005A040PG.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GP1M005A040PG, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GP1M005A040PG por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | I-Pak |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 1.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 50W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | GP1M005A040PG |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 522pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7.1nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 400V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de GP1M005A040PG
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M005A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220 | Investigación |
 |
GP1M005A050CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK | Investigación |
 |
GP1M005A050PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK | Investigación |
 |
GP1M005A050FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F | Investigación |
|
GP1M005A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK | Investigación |
|
GP1M005A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4A TO220F | Investigación |
|
GP1M009A020HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A TO220 | Investigación |
|
GP1M005A050H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 | Investigación |
|
GP1M008A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8A IPAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog