GI756-E3/73
GI756-E3/73
Número de pieza:
GI756-E3/73
Fabricante:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Descripción:
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19436 Pieces
Ficha de datos:
GI756-E3/73.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:900mV @ 6A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):600V
Paquete del dispositivo:P600
Velocidad:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):2.5µs
embalaje:Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta:P600, Axial
Temperatura de funcionamiento - Junction:-50°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Número de pieza del fabricante:GI756-E3/73
Descripción ampliada:Diode Standard 600V 6A Through Hole P600
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Corriente - Fuga inversa a Vr:5µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):6A
Capacitancia Vr, F:150pF @ 4V, 1MHz
Email:sales@bychips.com

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