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GBJ2010-G
- Número de pieza:
- GBJ2010-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descripción:
- BRIDGE DIODE 20A 1000V GBJ
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14863 Pieces
- Ficha de datos:
- GBJ2010-G.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GBJ2010-G, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GBJ2010-G por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 1000V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.05V @ 10A |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | GBJ |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 4-SIP, GBJ |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | GBJ2010-G |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole GBJ |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | BRIDGE DIODE 20A 1000V GBJ |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 1000V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 20A |
| Email: | [email protected] |
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