GBJ2010-G
GBJ2010-G
Número de pieza:
GBJ2010-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descripción:
BRIDGE DIODE 20A 1000V GBJ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14863 Pieces
Ficha de datos:
GBJ2010-G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - inversa de pico (máxima):1000V
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.05V @ 10A
Tecnología:Standard
Paquete del dispositivo:GBJ
Serie:-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:4-SIP, GBJ
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:GBJ2010-G
Descripción ampliada:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 20A Through Hole GBJ
Tipo de diodo:Single Phase
Descripción:BRIDGE DIODE 20A 1000V GBJ
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):20A
Email:[email protected]

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