GB10SLT12-247D
GB10SLT12-247D
Número de pieza:
GB10SLT12-247D
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20150 Pieces
Ficha de datos:
GB10SLT12-247D.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.9V @ 5A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1200V (1.2kV)
Paquete del dispositivo:TO-247
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Otros nombres:1242-1315
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:GB10SLT12-247D
Descripción ampliada:Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 12A Through Hole TO-247-3
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
configuración de diodo:1 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
Corriente - Fuga inversa a Vr:50µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):12A
Email:[email protected]

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