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GB10SLT12-247D
- Número de pieza:
- GB10SLT12-247D
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 20150 Pieces
- Ficha de datos:
- GB10SLT12-247D.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GB10SLT12-247D, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GB10SLT12-247D por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.9V @ 5A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 1200V (1.2kV) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Otros nombres: | 1242-1315 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GB10SLT12-247D |
| Descripción ampliada: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 12A Through Hole TO-247-3 |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| configuración de diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 12A TO247D |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 1200V |
| Corriente - rectificada media (Io) (por Diode): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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