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GAP3SLT33-214
- Número de pieza:
- GAP3SLT33-214
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15834 Pieces
- Ficha de datos:
- GAP3SLT33-214.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GAP3SLT33-214, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GAP3SLT33-214 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 2.2V @ 300mA |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 3300V (3.3kV) |
| Paquete del dispositivo: | DO-214AA |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-214AA, SMB |
| Otros nombres: | 1242-1172-2 GAP3SLT33214 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GAP3SLT33-214 |
| Descripción ampliada: | Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción: | DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 10µA @ 3300V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 300mA (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 42pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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