GAP3SLT33-214
GAP3SLT33-214
Número de pieza:
GAP3SLT33-214
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descripción:
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15834 Pieces
Ficha de datos:
GAP3SLT33-214.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:2.2V @ 300mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):3300V (3.3kV)
Paquete del dispositivo:DO-214AA
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:DO-214AA, SMB
Otros nombres:1242-1172-2
GAP3SLT33214
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:GAP3SLT33-214
Descripción ampliada:Diode Silicon Carbide Schottky 3300V (3.3kV) 300mA (DC) Surface Mount DO-214AA
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción:DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214
Corriente - Fuga inversa a Vr:10µA @ 3300V
Corriente - rectificada media (Io):300mA (DC)
Capacitancia Vr, F:42pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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