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GA01PNS80-220
- Número de pieza:
- GA01PNS80-220
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE SILICON CARBIDE 8KV
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 13643 Pieces
- Ficha de datos:
- GA01PNS80-220.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para GA01PNS80-220, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para GA01PNS80-220 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 8000V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | - |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | - |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | Axial |
| Otros nombres: | 1242-1259 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | GA01PNS80-220 |
| Descripción ampliada: | RF Diode PIN - Single 8000V 2A |
| Tipo de diodo: | PIN - Single |
| Descripción: | DIODE SILICON CARBIDE 8KV |
| Corriente - Max: | 2A |
| Capacitancia Vr, F: | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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