Comprar G3SBA60-M3/45 con BYCHPS
Compre con garantía
G3SBA60-M3/45
- Número de pieza:
- G3SBA60-M3/45
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE 1PH 4A 600V
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19350 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.G3SBA60-M3/45.pdf2.G3SBA60-M3/45.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para G3SBA60-M3/45, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para G3SBA60-M3/45 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 600V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 2A |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | GBU |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 4-SIP, GBU |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 17 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | G3SBA60-M3/45 |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 600V 2.3A Through Hole GBU |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE 1PH 4A 600V |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 2.3A |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de G3SBA60-M3/45
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
G3SBA60L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | Investigación |
|
G3SBA60-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | Investigación |
|
G3SBA60-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | Investigación |
|
G3SBA60L-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | Investigación |
|
G3SBA20L-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Investigación |
|
G3SBA60L-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GPP 1PH 4A 600V GBU | Investigación |
|
G3SBA60-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | Investigación |
|
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 200V | Investigación |
|
G3SBA60L-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 600V | Investigación |
|
G3SBA80-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 800V | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog