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G2SB80-E3/51
- Número de pieza:
- G2SB80-E3/51
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GPP 1.5A 800V GBL
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15409 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.G2SB80-E3/51.pdf2.G2SB80-E3/51.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para G2SB80-E3/51, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para G2SB80-E3/51 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 800V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1V @ 750mA |
| Tecnología: | Standard |
| Paquete del dispositivo: | GBL |
| Serie: | - |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 4-SIP, GBL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 26 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | G2SB80-E3/51 |
| Descripción ampliada: | Bridge Rectifier Single Phase 800V 1.5A Through Hole GBL |
| Tipo de diodo: | Single Phase |
| Descripción: | DIODE GPP 1.5A 800V GBL |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 50µA @ 600V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
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