Comprar FQU2N80TU con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.3 Ohm @ 900mA, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | FQU2N80TU |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 550pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 15nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 800V |
Descripción: | MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |