FQU2N80TU
FQU2N80TU
Número de pieza:
FQU2N80TU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19996 Pieces
Ficha de datos:
1.FQU2N80TU.pdf2.FQU2N80TU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 Ohm @ 900mA, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 50W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FQU2N80TU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:550pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.8A (Tc)
Email:[email protected]

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