Comprar FQU20N06LTU con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | QFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 60 mOhm @ 8.6A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 38W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres: | FQU20N06LTU-ND FQU20N06LTUFS |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 13 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | FQU20N06LTU |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 60V 17.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 17.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |