FQU12N20TU
FQU12N20TU
Número de pieza:
FQU12N20TU
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17888 Pieces
Ficha de datos:
FQU12N20TU.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:I-Pak
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:280 mOhm @ 4.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 55W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQU12N20TU
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:910pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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