FQP4N20L
Número de pieza:
FQP4N20L
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17397 Pieces
Ficha de datos:
1.FQP4N20L.pdf2.FQP4N20L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):45W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQP4N20L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.2nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 3.8A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A (Tc)
Email:[email protected]

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