FQN1N60CTA
Número de pieza:
FQN1N60CTA
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14720 Pieces
Ficha de datos:
FQN1N60CTA.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-92-3
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:11.5 Ohm @ 150mA, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta), 3W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Otros nombres:FQN1N60CTACT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FQN1N60CTA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:300mA (Tc)
Email:[email protected]

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