FJV4101RMTF
Número de pieza:
FJV4101RMTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15333 Pieces
Ficha de datos:
1.FJV4101RMTF.pdf2.FJV4101RMTF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor:PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):4.7k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):4.7k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:FJV4101RMTF-ND
FJV4101RMTFTR
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:18 Weeks
Número de pieza del fabricante:FJV4101RMTF
Frecuencia - Transición:200MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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