FJV3112RMTF
Número de pieza:
FJV3112RMTF
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19784 Pieces
Ficha de datos:
1.FJV3112RMTF.pdf2.FJV3112RMTF.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor:NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):-
Resistencia - Base (R1) (Ohms):47k
Potencia - Max:200mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FJV3112RMTF
Frecuencia - Transición:250MHz
Descripción ampliada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Descripción:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

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