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FDV302P_NB8V001
- Número de pieza:
- FDV302P_NB8V001
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19381 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.FDV302P_NB8V001.pdf2.FDV302P_NB8V001.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDV302P_NB8V001, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDV302P_NB8V001 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 350mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | FDV302P_NB8V001CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | FDV302P_NB8V001 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 0.31nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 25V 120mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 25V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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