FDU3706
FDU3706
Número de pieza:
FDU3706
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17658 Pieces
Ficha de datos:
FDU3706.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK (TO-251)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:9 mOhm @ 16.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.8W (Ta), 44W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDU3706
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1882pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14.7A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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