FDT457N
Número de pieza:
FDT457N
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12373 Pieces
Ficha de datos:
1.FDT457N.pdf2.FDT457N.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223-4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:60 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:FDT457N-ND
FDT457NTR
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDT457N
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:235pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.9nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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