FDS9958_F085
FDS9958_F085
Número de pieza:
FDS9958_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19105 Pieces
Ficha de datos:
FDS9958_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:105 mOhm @ 2.9A, 10V
Potencia - Max:900mW
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS9958_F085DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS9958_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1020pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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