FDS6673BZ_F085
FDS6673BZ_F085
Número de pieza:
FDS6673BZ_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20469 Pieces
Ficha de datos:
FDS6673BZ_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SO
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:7.8 mOhm @ 14.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS6673BZ_F085DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS6673BZ_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4700pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:124nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14.5A (Ta)
Email:[email protected]

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