FDS4501H
FDS4501H
Número de pieza:
FDS4501H
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15837 Pieces
Ficha de datos:
FDS4501H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:18 mOhm @ 9.3A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:FDS4501H-ND
FDS4501HFSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDS4501H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1958pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V, 20V
Descripción:MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.3A, 5.6A
Email:[email protected]

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