FDS3570
FDS3570
Número de pieza:
FDS3570
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14084 Pieces
Ficha de datos:
FDS3570.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDS3570
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2750pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:76nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 9A 8SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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