FDR8308P
Número de pieza:
FDR8308P
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15266 Pieces
Ficha de datos:
FDR8308P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:SuperSOT™-8
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:50 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Potencia - Max:800mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Gull Wing
Otros nombres:FDR8308P-ND
FDR8308PTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDR8308P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1240pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:19nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.2A
Email:[email protected]

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