FDP8N50NZ
FDP8N50NZ
Número de pieza:
FDP8N50NZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14605 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP8N50NZ.pdf2.FDP8N50NZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:850 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo):130W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDP8N50NZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:735pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 8A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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