FDP7030BL
Número de pieza:
FDP7030BL
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19960 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP7030BL.pdf2.FDP7030BL.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:9 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):60W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:FDP7030BL-ND
FDP7030BLFS
Temperatura de funcionamiento:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDP7030BL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1760pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 60A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Ta)
Email:[email protected]

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