FDP65N06
Número de pieza:
FDP65N06
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14737 Pieces
Ficha de datos:
1.FDP65N06.pdf2.FDP65N06.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FDP65N06, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FDP65N06 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar FDP65N06 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220-3
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:16 mOhm @ 32.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):135W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDP65N06
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2170pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:43nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 65A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 65A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios