FDN86501LZ
Número de pieza:
FDN86501LZ
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13699 Pieces
Ficha de datos:
FDN86501LZ.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:116 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.5W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:FDN86501LZTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDN86501LZ
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:335pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5.4nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 2.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:2.6A (Ta)
Email:[email protected]

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