FDN339AN
Número de pieza:
FDN339AN
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15848 Pieces
Ficha de datos:
1.FDN339AN.pdf2.FDN339AN.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SuperSOT-3
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:35 mOhm @ 3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):500mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres:FDN339ANTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDN339AN
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 20V 3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción:MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3A (Ta)
Email:[email protected]

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