FDMS3686S
FDMS3686S
Número de pieza:
FDMS3686S
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15418 Pieces
Ficha de datos:
FDMS3686S.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.7V @ 250µA
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:8 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max:1W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS3686S-ND
FDMS3686STR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMS3686S
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1785pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:13A, 23A
Email:[email protected]

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