FDMS015N04B
FDMS015N04B
Número de pieza:
FDMS015N04B
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18026 Pieces
Ficha de datos:
FDMS015N04B.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (5x6), Power56
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:1.5 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 104W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:FDMS015N04B-ND
FDMS015N04BTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMS015N04B
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8725pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:118nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 31.3A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:31.3A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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