FDMQ8203
FDMQ8203
Número de pieza:
FDMQ8203
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13285 Pieces
Ficha de datos:
FDMQ8203.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Paquete del dispositivo:12-MLP (5x4.5)
Serie:GreenBridge™ PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:110 mOhm @ 3A, 10V
Potencia - Max:2.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:12-WDFN Exposed Pad
Otros nombres:FDMQ8203-ND
FDMQ8203TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMQ8203
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:210pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:5nC @ 10V
Tipo FET:2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Logic Level Gate
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V, 80V
Descripción:MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.4A, 2.6A
Email:[email protected]

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