FDMC4435BZ_F126
FDMC4435BZ_F126
Número de pieza:
FDMC4435BZ_F126
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 8.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13350 Pieces
Ficha de datos:
FDMC4435BZ_F126.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-MLP (3.3x3.3)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:20 mOhm @ 8.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.3W (Ta), 31W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:FDMC4435BZ_F126TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDMC4435BZ_F126
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2045pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:46nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 30V 8.5A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET P-CH 30V 8.5A
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Ta), 18A (Tc)
Email:[email protected]

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