FDD86540
FDD86540
Número de pieza:
FDD86540
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12361 Pieces
Ficha de datos:
FDD86540.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:4.1 mOhm @ 21.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.1W (Ta), 127W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD86540FSTR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDD86540
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6340pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 21.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:21.5A (Ta), 50A (Tc)
Email:[email protected]

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