FDD6780A
FDD6780A
Número de pieza:
FDD6780A
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17762 Pieces
Ficha de datos:
FDD6780A.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:8.6 mOhm @ 16.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD6780ADKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD6780A
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1235pF @ 13V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 25V 16.4A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:25V
Descripción:MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16.4A (Ta), 30A (Tc)
Email:[email protected]

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