FDD5810
FDD5810
Número de pieza:
FDD5810
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17500 Pieces
Ficha de datos:
FDD5810.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252AA
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 32A, 10V
La disipación de energía (máximo):72W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD5810TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD5810
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 7.4A (Ta), 37A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N-CH 60V 37A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7.4A (Ta), 37A (Tc)
Email:[email protected]

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