FDD4685_F085
FDD4685_F085
Número de pieza:
FDD4685_F085
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18698 Pieces
Ficha de datos:
FDD4685_F085.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252AA)
Serie:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:27 mOhm @ 8.4A, 10V
La disipación de energía (máximo):83W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FDD4685_F085DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDD4685_F085
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2380pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 40V 8.4A (Ta), 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET P-CH 40V 32A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.4A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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