FDD2512
FDD2512
Número de pieza:
FDD2512
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17172 Pieces
Ficha de datos:
FDD2512.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:420 mOhm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):42W (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDD2512
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:344pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:11nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 150V 6.7A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción:MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:6.7A (Ta)
Email:[email protected]

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