FDB8442
FDB8442
Número de pieza:
FDB8442
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12883 Pieces
Ficha de datos:
FDB8442.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.9 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo):254W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:FDB8442TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:FDB8442
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:235nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 40V 28A (Ta), 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:40V
Descripción:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Ta), 80A (Tc)
Email:[email protected]

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