FDB12N50FTM_WS
FDB12N50FTM_WS
Número de pieza:
FDB12N50FTM_WS
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18386 Pieces
Ficha de datos:
FDB12N50FTM_WS.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263AB)
Serie:UniFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo):165W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:FDB12N50FTM_WSDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:9 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDB12N50FTM_WS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1395pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

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