FDB024N08BL7
FDB024N08BL7
Número de pieza:
FDB024N08BL7
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
20305 Pieces
Ficha de datos:
FDB024N08BL7.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D²PAK (TO-263)
Serie:PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):246W (Tc)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Otros nombres:FDB024N08BL7DKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FDB024N08BL7
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13530pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:178nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 80V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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