FCPF190N60_F152
FCPF190N60_F152
Número de pieza:
FCPF190N60_F152
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12848 Pieces
Ficha de datos:
FCPF190N60_F152.pdf

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para FCPF190N60_F152, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para FCPF190N60_F152 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar FCPF190N60_F152 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F-3
Serie:SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs:199 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo):39W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCPF190N60_F152
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2950pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:74nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios