FCD380N60E
FCD380N60E
Número de pieza:
FCD380N60E
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17670 Pieces
Ficha de datos:
FCD380N60E.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:SuperFET® II
RDS (Max) @Id, Vgs:380 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo):106W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:FCD380N60ETR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:6 Weeks
Número de pieza del fabricante:FCD380N60E
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1770pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:10.2A (Tc)
Email:[email protected]

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