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ESH1B-M3/5AT
- Número de pieza:
- ESH1B-M3/5AT
- Fabricante:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17489 Pieces
- Ficha de datos:
- ESH1B-M3/5AT.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ESH1B-M3/5AT, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ESH1B-M3/5AT por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 900mV @ 1A |
|---|---|
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 100V |
| Paquete del dispositivo: | DO-214AC (SMA) |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 25ns |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | DO-214AC, SMA |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 27 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ESH1B-M3/5AT |
| Descripción ampliada: | Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA) |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción: | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 1µA @ 100V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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