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ES6U1T2R
- Número de pieza:
- ES6U1T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15513 Pieces
- Ficha de datos:
- ES6U1T2R.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para ES6U1T2R, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para ES6U1T2R por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-WEMT |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 700mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | SOT-563, SOT-666 |
| Otros nombres: | ES6U1T2RTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | ES6U1T2R |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 6V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 2.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descripción ampliada: | P-Channel 12V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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