EMN11T2R
EMN11T2R
Número de pieza:
EMN11T2R
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descripción:
DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19226 Pieces
Ficha de datos:
EMN11T2R.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.2V @ 100mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):80V
Paquete del dispositivo:EMD6
Velocidad:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):4ns
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-563, SOT-666
Otros nombres:EMN11T2R-ND
EMN11T2RTR
Temperatura de funcionamiento - Junction:150°C (Max)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:EMN11T2R
Descripción ampliada:Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SOT-563, SOT-666
Tipo de diodo:Standard
configuración de diodo:2 Pair Common Cathode
Descripción:DIODE ARRAY GP 80V 100MA EMD6
Corriente - Fuga inversa a Vr:100nA @ 70V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode):100mA
Email:[email protected]

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