EMH2417R-TL-H
Número de pieza:
EMH2417R-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18119 Pieces
Ficha de datos:
EMH2417R-TL-H.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1.3V @ 1mA
Paquete del dispositivo:SOT-383FL, EMH8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 5A, 4.5V
Potencia - Max:1.3W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SMD, Flat Lead
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:EMH2417R-TL-H
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Descripción ampliada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 12V 11A 1.3W Surface Mount SOT-383FL, EMH8
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción:MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A
Email:[email protected]

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