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EMG9T2R
- Número de pieza:
- EMG9T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17609 Pieces
- Ficha de datos:
- EMG9T2R.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 50V |
|---|---|
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo de transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Paquete del dispositivo: | EMT5 |
| Serie: | - |
| Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms): | 10k |
| Resistencia - Base (R1) (Ohms): | 10k |
| Potencia - Max: | 150mW |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Otros nombres: | EMG9T2RCT |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | EMG9T2R |
| Frecuencia - Transición: | 250MHz |
| Descripción ampliada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
| Descripción: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 30 @ 5mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 500nA |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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